casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / MURF10005R
codice articolo del costruttore | MURF10005R |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-MURF10005R |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MURF10005R Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Configurazione diodi | 1 Pair Common Anode |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 50V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 100A (DC) |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.3V @ 50A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 75ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 25µA @ 50V |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | TO-244AB |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-244 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MURF10005R Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MURF10005R-FT |
MBRF30H50CTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRF30H60CTH
ON Semiconductor
MBRF30H90CT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MDA600-12N1
IXYS
MDA600-14N1
IXYS
MDA600-16N1
IXYS
MDA600-18N1
IXYS
MDA600-20N1
IXYS
MDA600-22N1
IXYS
MDA95-22N1B
IXYS
A40MX04-VQ80
Microsemi Corporation
XC2V4000-4FF1517I
Xilinx Inc.
M1AFS1500-FG256
Microsemi Corporation
A1020B-1PL68I
Microsemi Corporation
10CX150YF672E6G
Intel
A54SX16A-FGG144I
Microsemi Corporation
LFE2-12E-5F484I
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC5C6F23C7N
Intel
10AX066K2F35I2SGES
Intel
EP2SGX90FF1508C3N
Intel