casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / MUR8L60 C0G
codice articolo del costruttore | MUR8L60 C0G |
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Numero di parte futuro | FT-MUR8L60 C0G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MUR8L60 C0G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 600V |
Corrente: media rettificata (Io) | 8A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.3V @ 8A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 65ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 600V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-220-2 |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220AC |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 175°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MUR8L60 C0G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MUR8L60 C0G-FT |
SFA808GHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SRA10100HC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SRA10150 C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SRA10150HC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SRA1020 C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SRA1020HC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SRA1030 C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SRA1030HC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SRA1040 C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SRA1050 C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
AX250-FG256I
Microsemi Corporation
MPF300TLS-FCVG484I
Microsemi Corporation
5AGXBA5D6F27C6N
Intel
10M04SFE144I7G
Intel
5SGSED8N1F45C2L
Intel
5SGSMD8N3F45I3N
Intel
5SGXEA5K2F35C3N
Intel
XC7V2000T-1FLG1925I
Xilinx Inc.
A42MX09-3TQG176
Microsemi Corporation
LFE2-50E-5F484I
Lattice Semiconductor Corporation