casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / MUR4L60HA0G
codice articolo del costruttore | MUR4L60HA0G |
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Numero di parte futuro | FT-MUR4L60HA0G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
MUR4L60HA0G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 600V |
Corrente: media rettificata (Io) | 4A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.28V @ 4A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 50ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10µA @ 600V |
Capacità @ Vr, F | 65pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | DO-201AD, Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-201AD |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 175°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MUR4L60HA0G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MUR4L60HA0G-FT |
SR303HA0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SR303HB0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SR304 B0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SR304HA0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SR304HB0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SR305 A0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SR305 B0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SR305HA0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SR305HB0G
Taiwan Semiconductor Corporation
MUR420 B0G
Taiwan Semiconductor Corporation
AX250-FG256I
Microsemi Corporation
MPF300TLS-FCVG484I
Microsemi Corporation
5AGXBA5D6F27C6N
Intel
10M04SFE144I7G
Intel
5SGSED8N1F45C2L
Intel
5SGSMD8N3F45I3N
Intel
5SGXEA5K2F35C3N
Intel
XC7V2000T-1FLG1925I
Xilinx Inc.
A42MX09-3TQG176
Microsemi Corporation
LFE2-50E-5F484I
Lattice Semiconductor Corporation