casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / MUR420 B0G
codice articolo del costruttore | MUR420 B0G |
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Numero di parte futuro | FT-MUR420 B0G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MUR420 B0G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 200V |
Corrente: media rettificata (Io) | 4A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 890mV @ 4A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 25ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 200V |
Capacità @ Vr, F | 65pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | DO-201AD, Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-201AD |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 175°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MUR420 B0G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MUR420 B0G-FT |
SF31G R0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SF31GHR0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SF32G R0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SF32GHR0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SF33G R0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SF33GHR0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SF34G R0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SF34GHR0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SF35G R0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SF35GHR0G
Taiwan Semiconductor Corporation
XC4010XL-1TQ144C
Xilinx Inc.
XC6SLX150-N3FG900C
Xilinx Inc.
A3P250-1VQG100I
Microsemi Corporation
A3PN250-Z1VQG100
Microsemi Corporation
EP4CGX50DF27C8N
Intel
5SGXEA5K3F35C2N
Intel
XC5VLX110T-2FF1136I
Xilinx Inc.
LCMXO2-4000HC-4BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXFB3H4F35I3N
Intel
EP2AGX45DF29C6N
Intel