casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / MUR4L20HB0G
codice articolo del costruttore | MUR4L20HB0G |
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Numero di parte futuro | FT-MUR4L20HB0G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
MUR4L20HB0G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 200V |
Corrente: media rettificata (Io) | 4A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 890mV @ 4A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 25ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 200V |
Capacità @ Vr, F | 65pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | DO-201AD, Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-201AD |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 175°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MUR4L20HB0G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MUR4L20HB0G-FT |
SF33GHR0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SF34G R0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SF34GHR0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SF35G R0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SF35GHR0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SF36G R0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SF36GHR0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SF37G R0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SF37GHR0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SF38G R0G
Taiwan Semiconductor Corporation
LCMXO2-1200ZE-3TG100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S1200E-4FG320C
Xilinx Inc.
XC2VP7-6FGG456C
Xilinx Inc.
A1010B-2PL68I
Microsemi Corporation
5SGXMA3K2F40I3N
Intel
5SEEBF45I3N
Intel
5SGXEA5K3F35I3N
Intel
XC4013XL-1BG256I
Xilinx Inc.
XC4VFX60-10FFG1152C
Xilinx Inc.
LCMXO640C-3B256I
Lattice Semiconductor Corporation