casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / MUR4L20 A0G
codice articolo del costruttore | MUR4L20 A0G |
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Numero di parte futuro | FT-MUR4L20 A0G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MUR4L20 A0G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 200V |
Corrente: media rettificata (Io) | 4A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 890mV @ 4A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 25ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 200V |
Capacità @ Vr, F | 65pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | DO-201AD, Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-201AD |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 175°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MUR4L20 A0G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MUR4L20 A0G-FT |
1N5401G R0G
Taiwan Semiconductor Corporation
1N5401GHR0G
Taiwan Semiconductor Corporation
1N5402G R0G
Taiwan Semiconductor Corporation
1N5402GHR0G
Taiwan Semiconductor Corporation
1N5404G R0G
Taiwan Semiconductor Corporation
1N5404GHR0G
Taiwan Semiconductor Corporation
1N5406G R0G
Taiwan Semiconductor Corporation
1N5406GHR0G
Taiwan Semiconductor Corporation
1N5407G R0G
Taiwan Semiconductor Corporation
1N5407GHR0G
Taiwan Semiconductor Corporation
LCMXO2280E-3TN100I
Lattice Semiconductor Corporation
M2GL090-FCSG325I
Microsemi Corporation
LCMXO2280E-3FT256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE5U-85F-6BG756I
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEA7N2F40I3LN
Intel
5SGXEA5H2F35I3
Intel
XC7A15T-3CPG236E
Xilinx Inc.
5AGXFB1H6F35C6N
Intel
EP1S80B956C6N
Intel
EP4SGX180HF35C4
Intel