casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / 1N5402GHR0G
codice articolo del costruttore | 1N5402GHR0G |
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Numero di parte futuro | FT-1N5402GHR0G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
1N5402GHR0G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 200V |
Corrente: media rettificata (Io) | 3A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1V @ 3A |
Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 200V |
Capacità @ Vr, F | 25pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | DO-201AD, Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-201AD |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N5402GHR0G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 1N5402GHR0G-FT |
UG2DHB0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SR202 R0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SR202HR0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SR203 R0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SR203HR0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SR204 R0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SR204HR0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SR205 R0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SR205HR0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SR206 R0G
Taiwan Semiconductor Corporation
EPF10K20TC144-3N
Intel
LFE2-20SE-6QN208I
Lattice Semiconductor Corporation
AGLN250V5-ZCSG81
Microsemi Corporation
A42MX16-2PQ208I
Microsemi Corporation
A3P250L-1VQ100
Microsemi Corporation
EP20K100EFC144-1
Intel
10AX032H4F35E3SG
Intel
XC7VX1140T-1FLG1926C
Xilinx Inc.
10AX090R1F40E1SG
Intel
EP3SL70F780C3
Intel