casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / MUR2X120A10
codice articolo del costruttore | MUR2X120A10 |
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Numero di parte futuro | FT-MUR2X120A10 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MUR2X120A10 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Configurazione diodi | 2 Independent |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 1000V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 120A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 2.35V @ 120A |
Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 25µA @ 1000V |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 175°C |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | SOT-227-4, miniBLOC |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-227 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MUR2X120A10 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MUR2X120A10-FT |
MBRTA500200
GeneSiC Semiconductor
MBRTA500200R
GeneSiC Semiconductor
MBRTA50020R
GeneSiC Semiconductor
MBRTA50030
GeneSiC Semiconductor
MBRTA50030R
GeneSiC Semiconductor
MBRTA50035
GeneSiC Semiconductor
MBRTA50035R
GeneSiC Semiconductor
MBRTA50040
GeneSiC Semiconductor
MBRTA50040R
GeneSiC Semiconductor
MBRTA50045
GeneSiC Semiconductor
XC3S1400A-4FGG676C
Xilinx Inc.
AGLN060V2-CSG81
Microsemi Corporation
APA600-BG456I
Microsemi Corporation
5SGXEA7H3F35I3LN
Intel
EP4SE820H35C3N
Intel
XC5VLX110-2FFG1153I
Xilinx Inc.
XC2VP7-6FFG896I
Xilinx Inc.
XC7A25T-1CPG238I
Xilinx Inc.
EP1S20F780C5N
Intel
EP1S30F780C5N
Intel