casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / MUR2X100A10
codice articolo del costruttore | MUR2X100A10 |
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Numero di parte futuro | FT-MUR2X100A10 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MUR2X100A10 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Configurazione diodi | 2 Independent |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 1000V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 100A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 2.35V @ 100A |
Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 25µA @ 1000V |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 175°C |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | SOT-227-4, miniBLOC |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-227 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MUR2X100A10 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MUR2X100A10-FT |
MBRTA500100
GeneSiC Semiconductor
MBRTA500100R
GeneSiC Semiconductor
MBRTA500150
GeneSiC Semiconductor
MBRTA500150R
GeneSiC Semiconductor
MBRTA50020
GeneSiC Semiconductor
MBRTA500200
GeneSiC Semiconductor
MBRTA500200R
GeneSiC Semiconductor
MBRTA50020R
GeneSiC Semiconductor
MBRTA50030
GeneSiC Semiconductor
MBRTA50030R
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XC7K70T-3FBG676E
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XC2V8000-4FFG1517I
Xilinx Inc.
AGL1000V2-FGG256
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5SGSMD5K2F40I2L
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5AGXMA5D4F27I3N
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5SGXMA7H3F35C4
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EP3SL340H1152I4
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LFE3-95EA-8FN1156I
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LFE2M35SE-5F256C
Lattice Semiconductor Corporation
10M08SAM153C8G
Intel