casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased / MUN5113T3G
codice articolo del costruttore | MUN5113T3G |
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Numero di parte futuro | FT-MUN5113T3G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MUN5113T3G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | PNP - Pre-Biased |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 47 kOhms |
Resistor - Emitter Base (R2) | 47 kOhms |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 5mA, 10V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 500nA |
Frequenza - Transizione | - |
Potenza - Max | 202mW |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SC-70, SOT-323 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SC-70-3 (SOT323) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MUN5113T3G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MUN5113T3G-FT |
MUN2233T1
ON Semiconductor
MUN2236T1
ON Semiconductor
MUN2241T1
ON Semiconductor
NSBA143ZF3T5G
ON Semiconductor
NSBC115TF3T5G
ON Semiconductor
NSBA113EF3T5G
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NSBA114EF3T5G
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NSBC114TF3T5G
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NSBC143EF3T5G
ON Semiconductor
NSBA144EF3T5G
ON Semiconductor
EP20K60ETC144-3
Intel
XC2S50-5PQG208I
Xilinx Inc.
XC4020XL-3PQ208C
Xilinx Inc.
A1415A-1VQG100M
Microsemi Corporation
EP3C10F256A7N
Intel
5SGXEA5K2F40I2LN
Intel
5SEE9H40C2LN
Intel
A42MX16-PQ100A
Microsemi Corporation
LFXP3E-4QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090U2F45E1SG
Intel