casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased / MUN5113T3G
codice articolo del costruttore | MUN5113T3G |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-MUN5113T3G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MUN5113T3G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | PNP - Pre-Biased |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 47 kOhms |
Resistor - Emitter Base (R2) | 47 kOhms |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 5mA, 10V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 500nA |
Frequenza - Transizione | - |
Potenza - Max | 202mW |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SC-70, SOT-323 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SC-70-3 (SOT323) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MUN5113T3G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MUN5113T3G-FT |
MUN2233T1
ON Semiconductor
MUN2236T1
ON Semiconductor
MUN2241T1
ON Semiconductor
NSBA143ZF3T5G
ON Semiconductor
NSBC115TF3T5G
ON Semiconductor
NSBA113EF3T5G
ON Semiconductor
NSBA114EF3T5G
ON Semiconductor
NSBC114TF3T5G
ON Semiconductor
NSBC143EF3T5G
ON Semiconductor
NSBA144EF3T5G
ON Semiconductor
LCMXO640E-4TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S50A-4VQG100I
Xilinx Inc.
XC3S50-4VQ100I
Xilinx Inc.
APA1000-BGG456I
Microsemi Corporation
M7AFS600-1FG256
Microsemi Corporation
EP4SGX230KF40C2N
Intel
5SGSMD5H1F35C2LN
Intel
XC4036XL-2HQ208C
Xilinx Inc.
EP4SGX230DF29I3
Intel
10CX085YF672I5G
Intel