casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - IGBT - Moduli / MUBW40-12T7
codice articolo del costruttore | MUBW40-12T7 |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-MUBW40-12T7 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MUBW40-12T7 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo IGBT | Trench |
Configurazione | Three Phase Inverter with Brake |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200V |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 62A |
Potenza - Max | 220W |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.6V @ 15V, 40A |
Corrente - Limite del collettore (max) | 1.75mA |
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce | 2.5nF @ 25V |
Ingresso | Three Phase Bridge Rectifier |
Termistore NTC | Yes |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | E2 |
Pacchetto dispositivo fornitore | E2 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MUBW40-12T7 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MUBW40-12T7-FT |
APTGT600DA60G
Microsemi Corporation
APTGT600DU60G
Microsemi Corporation
APTGT750U60D4G
Microsemi Corporation
APTGT75DDA60T3G
Microsemi Corporation
APTGT75DH120T3G
Microsemi Corporation
APTGT75DU120TG
Microsemi Corporation
APTGT75H120TG
Microsemi Corporation
APTGT75H60T3G
Microsemi Corporation
APTGT75TDU60PG
Microsemi Corporation
APTGT75X60T3G
Microsemi Corporation
XCKU11P-1FFVE1517I
Xilinx Inc.
XC2V1000-5FG456I
Xilinx Inc.
AGL1000V2-FGG484I
Microsemi Corporation
AGLN030V2-ZQNG48I
Microsemi Corporation
APA750-BGG456I
Microsemi Corporation
XC6VLX240T-2FF1759C
Xilinx Inc.
XC6VLX365T-1FFG1156C
Xilinx Inc.
LFE3-95E-7FN1156C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-12SE-5FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
ICE40LP384-CM49TR
Lattice Semiconductor Corporation