casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - IGBT - Moduli / MUBW10-06A6K
codice articolo del costruttore | MUBW10-06A6K |
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Numero di parte futuro | FT-MUBW10-06A6K |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MUBW10-06A6K Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo IGBT | NPT |
Configurazione | Three Phase Inverter with Brake |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600V |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 11A |
Potenza - Max | 50W |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 3.3V @ 15V, 10A |
Corrente - Limite del collettore (max) | 65µA |
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce | 0.22nF @ 25V |
Ingresso | Three Phase Bridge Rectifier |
Termistore NTC | Yes |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | E1 |
Pacchetto dispositivo fornitore | E1 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MUBW10-06A6K Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MUBW10-06A6K-FT |
APTGT400U170D4G
Microsemi Corporation
APTGT450DA60G
Microsemi Corporation
APTGT450SK60G
Microsemi Corporation
APTGT50A170T1G
Microsemi Corporation
APTGT50A170TG
Microsemi Corporation
APTGT50DA120TG
Microsemi Corporation
APTGT50DDA60T3G
Microsemi Corporation
APTGT50DH170TG
Microsemi Corporation
APTGT50DH60T1G
Microsemi Corporation
APTGT50DU120TG
Microsemi Corporation
A3P125-TQG144
Microsemi Corporation
M1A3P400-2FG256
Microsemi Corporation
LFE2M70E-6FN1152I
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN030-Z2VQG100
Microsemi Corporation
5SGXMA4K1F40C2LN
Intel
5SGXMA4K3F40C2N
Intel
LCMXO640C-3B256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-17EA-8FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K30ABC356-4
Intel
EPF10K20RC208-4N
Intel