casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / MTFC128GAOANEA-WT ES TR
codice articolo del costruttore | MTFC128GAOANEA-WT ES TR |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-MTFC128GAOANEA-WT ES TR |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | e•MMC™ |
MTFC128GAOANEA-WT ES TR Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo di memoria | Non-Volatile |
Formato di memoria | FLASH |
Tecnologia | FLASH - NAND |
Dimensione della memoria | 1Tb (128G x 8) |
Frequenza di clock | - |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | - |
Tempo di accesso | - |
Interfaccia di memoria | MMC |
Tensione - Fornitura | - |
temperatura di esercizio | -25°C ~ 85°C (TA) |
Tipo di montaggio | - |
Pacchetto / caso | - |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MTFC128GAOANEA-WT ES TR Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MTFC128GAOANEA-WT ES TR-FT |
MT53D768M64D4SQ-046 WT:A TR
Micron Technology Inc.
MT53D768M64D4SQ-053 WT ES:A
Micron Technology Inc.
MT53D768M64D4SQ-053 WT ES:A TR
Micron Technology Inc.
MT53D768M64D4SQ-053 WT:A
Micron Technology Inc.
MT53D768M64D4SQ-053 WT:A TR
Micron Technology Inc.
MT53D768M64D8JS-053 WT ES:D
Micron Technology Inc.
MT53D768M64D8JS-053 WT ES:D TR
Micron Technology Inc.
MT53D768M64D8JS-053 WT:D
Micron Technology Inc.
MT53D768M64D8JS-053 WT:D TR
Micron Technology Inc.
MT53D768M64D8NZ-046 WT ES:E
Micron Technology Inc.
A3P400-1FGG256
Microsemi Corporation
M2GL050S-1VFG400I
Microsemi Corporation
EPF10K10ATC100-3
Intel
EP4CE15F23C7
Intel
A1010B-1PL44I
Microsemi Corporation
XC2VP7-6FFG672I
Xilinx Inc.
APA600-FGG676I
Microsemi Corporation
LCMXO2-4000HE-5FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
5CGTFD7D5F31I7N
Intel
10AX115R1F40E1SG
Intel