casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / MT53D768M64D8JS-053 WT ES:D TR
codice articolo del costruttore | MT53D768M64D8JS-053 WT ES:D TR |
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Numero di parte futuro | FT-MT53D768M64D8JS-053 WT ES:D TR |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT53D768M64D8JS-053 WT ES:D TR Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo di memoria | Volatile |
Formato di memoria | DRAM |
Tecnologia | SDRAM - Mobile LPDDR4 |
Dimensione della memoria | 48Gb (768M x 64) |
Frequenza di clock | 1866MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | - |
Tempo di accesso | - |
Interfaccia di memoria | - |
Tensione - Fornitura | 1.1V |
temperatura di esercizio | -30°C ~ 85°C (TC) |
Tipo di montaggio | - |
Pacchetto / caso | - |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT53D768M64D8JS-053 WT ES:D TR Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MT53D768M64D8JS-053 WT ES:D TR-FT |
MT53D512M32D2DS-046 AIT:D
Micron Technology Inc.
MT53D512M32D2DS-046 AIT:D TR
Micron Technology Inc.
MT53D512M32D2DS-046 AUT:D
Micron Technology Inc.
MT53D512M32D2DS-046 AUT:D TR
Micron Technology Inc.
MT53D512M32D2DS-046 WT ES:D
Micron Technology Inc.
MT53D512M32D2NP-046 AAT ES:D
Micron Technology Inc.
MT53D512M32D2NP-046 AAT ES:D TR
Micron Technology Inc.
MT53D512M32D2NP-046 AAT:D
Micron Technology Inc.
MT53D512M32D2NP-046 AAT:D TR
Micron Technology Inc.
MT53D512M32D2NP-046 AIT ES:D
Micron Technology Inc.
XC2S150-5FGG456I
Xilinx Inc.
XC6SLX25-2FGG484I
Xilinx Inc.
XC7A100T-1FGG484I
Xilinx Inc.
A42MX36-2PQG208
Microsemi Corporation
LFE5UM-45F-7BG554I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2C8F256C7
Intel
5SGXEB6R2F40C2L
Intel
EP4CGX15BF14C7N
Intel
XC4VLX40-10FFG668C
Xilinx Inc.
EP1S30F1020C7N
Intel