casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / MTA8ATF51264HZ-2G1B1
codice articolo del costruttore | MTA8ATF51264HZ-2G1B1 |
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Numero di parte futuro | FT-MTA8ATF51264HZ-2G1B1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MTA8ATF51264HZ-2G1B1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo di memoria | Volatile |
Formato di memoria | DRAM |
Tecnologia | SDRAM - DDR4 |
Dimensione della memoria | 32Gb (512M x 64) |
Frequenza di clock | 1067MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | - |
Tempo di accesso | - |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 1.2V |
temperatura di esercizio | 0°C ~ 95°C (TC) |
Tipo di montaggio | - |
Pacchetto / caso | - |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MTA8ATF51264HZ-2G1B1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MTA8ATF51264HZ-2G1B1-FT |
MT53D512M64D8TZ-053 WT:B TR
Micron Technology Inc.
MT53D6DABE-DC
Micron Technology Inc.
MT53D768M32D2DS-046 WT ES:A
Micron Technology Inc.
MT53D768M32D2DS-046 WT ES:A TR
Micron Technology Inc.
MT53D768M32D4BD-053 WT ES:C
Micron Technology Inc.
MT53D768M32D4BD-053 WT:C
Micron Technology Inc.
MT53D768M32D4CB-053 WT ES:C
Micron Technology Inc.
MT53D768M32D4CB-053 WT:C
Micron Technology Inc.
MT53D768M64D4NZ-046 WT:A
Micron Technology Inc.
MT53D768M64D4NZ-046 WT:A TR
Micron Technology Inc.
A1010B-VQG80C
Microsemi Corporation
XC3S1600E-4FG400I
Xilinx Inc.
XC3S5000-5FGG900C
Xilinx Inc.
M1A3P600L-FGG484
Microsemi Corporation
APA300-BG456
Microsemi Corporation
A40MX02-PL68
Microsemi Corporation
EP3SL150F1152I4
Intel
XC4010E-3PC84I
Xilinx Inc.
XC2VP50-7FFG1152C
Xilinx Inc.
EP1C20F324C6
Intel