casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / MT53D512M64D8TZ-053 WT:B TR
codice articolo del costruttore | MT53D512M64D8TZ-053 WT:B TR |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-MT53D512M64D8TZ-053 WT:B TR |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT53D512M64D8TZ-053 WT:B TR Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Volatile |
Formato di memoria | DRAM |
Tecnologia | SDRAM - Mobile LPDDR4 |
Dimensione della memoria | 32Gb (512M x 64) |
Frequenza di clock | 1866MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | - |
Tempo di accesso | - |
Interfaccia di memoria | - |
Tensione - Fornitura | 1.1V |
temperatura di esercizio | -30°C ~ 85°C (TC) |
Tipo di montaggio | - |
Pacchetto / caso | - |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT53D512M64D8TZ-053 WT:B TR Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MT53D512M64D8TZ-053 WT:B TR-FT |
MT53D4DBSB-DC
Micron Technology Inc.
MT53D4DBSB-DC TR
Micron Technology Inc.
MT53D4DCFL-DC
Micron Technology Inc.
MT53D4DCFL-DC TR
Micron Technology Inc.
MT53D4DCNZ-DC
Micron Technology Inc.
MT53D4DCNZ-DC TR
Micron Technology Inc.
MT53D4DCSB-DC
Micron Technology Inc.
MT53D4DCSB-DC TR
Micron Technology Inc.
MT53D4DCTW-DC
Micron Technology Inc.
MT53D4DCTW-DC TR
Micron Technology Inc.
A1020B-VQ80I
Microsemi Corporation
XC4020XL-2HT144C
Xilinx Inc.
A54SX16A-FG256I
Microsemi Corporation
A3PN125-VQG100I
Microsemi Corporation
EP2C35F484I8
Intel
10M08SAU169A7G
Intel
5SGXEA5K1F35C2LN
Intel
5SGXEA4K1F35I2N
Intel
AX1000-1FGG676I
Microsemi Corporation
EPF10K50SQC208-1N
Intel