casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / MTA8ATF51264AZ-2G6B1
codice articolo del costruttore | MTA8ATF51264AZ-2G6B1 |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-MTA8ATF51264AZ-2G6B1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MTA8ATF51264AZ-2G6B1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo di memoria | Volatile |
Formato di memoria | DRAM |
Tecnologia | SDRAM - DDR4 |
Dimensione della memoria | 32Gb (512M x 64) |
Frequenza di clock | 1333MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | - |
Tempo di accesso | - |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 1.2V |
temperatura di esercizio | 0°C ~ 95°C (TC) |
Tipo di montaggio | - |
Pacchetto / caso | - |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MTA8ATF51264AZ-2G6B1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MTA8ATF51264AZ-2G6B1-FT |
MT53D512M64D8TZ-053 WT:B
Micron Technology Inc.
MT53D512M64D8TZ-053 WT:B TR
Micron Technology Inc.
MT53D6DABE-DC
Micron Technology Inc.
MT53D768M32D2DS-046 WT ES:A
Micron Technology Inc.
MT53D768M32D2DS-046 WT ES:A TR
Micron Technology Inc.
MT53D768M32D4BD-053 WT ES:C
Micron Technology Inc.
MT53D768M32D4BD-053 WT:C
Micron Technology Inc.
MT53D768M32D4CB-053 WT ES:C
Micron Technology Inc.
MT53D768M32D4CB-053 WT:C
Micron Technology Inc.
MT53D768M64D4NZ-046 WT:A
Micron Technology Inc.
EPF10K30ATI144-3N
Intel
A54SX32A-2FGG484I
Microsemi Corporation
LFE2-70E-6FN900I
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX16-1VQ100I
Microsemi Corporation
5SGSED6N3F45I4N
Intel
5SGSMD5H2F35I3L
Intel
A40MX04-FPL84
Microsemi Corporation
LFXP6C-4F256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-35E-7FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL150F780I3N
Intel