casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / MT46V128M4CY-5B:J TR
codice articolo del costruttore | MT46V128M4CY-5B:J TR |
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Numero di parte futuro | FT-MT46V128M4CY-5B:J TR |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT46V128M4CY-5B:J TR Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Volatile |
Formato di memoria | DRAM |
Tecnologia | SDRAM - DDR |
Dimensione della memoria | 512Mb (128M x 4) |
Frequenza di clock | 200MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 15ns |
Tempo di accesso | 700ps |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 2.5V ~ 2.7V |
temperatura di esercizio | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo di montaggio | - |
Pacchetto / caso | - |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT46V128M4CY-5B:J TR Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MT46V128M4CY-5B:J TR-FT |
MT29F768G08EEHBBJ4-3R:B TR
Micron Technology Inc.
MT29F8G08ABACAM71M3WC1
Micron Technology Inc.
MT29F8G08ADADAH4-IT:D TR
Micron Technology Inc.
MT29F8G08ADBDAH4-AAT:D
Micron Technology Inc.
MT29F8G08ADBDAH4-AAT:D TR
Micron Technology Inc.
MT29F8G16ADBDAH4-AIT:D
Micron Technology Inc.
MT29PZZZ4D4BKEPK-18 W.94H
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MT29PZZZ4D4BKEPK-18 W.94H TR
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MT29RZ4C4DZZMGGM-18W.80C
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MT29RZ4C4DZZMGGM-18W.80C TR
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