casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / MT66R7072A10AB5ZZW.ZCA
codice articolo del costruttore | MT66R7072A10AB5ZZW.ZCA |
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Numero di parte futuro | FT-MT66R7072A10AB5ZZW.ZCA |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT66R7072A10AB5ZZW.ZCA Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo di memoria | Non-Volatile |
Formato di memoria | RAM |
Tecnologia | PCM - LPDDR2, MCP - LPDDR2 |
Dimensione della memoria | 1Gb (128M x 8)(PCM), 512Mb (64M x 8)(MCP) |
Frequenza di clock | 166MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | - |
Tempo di accesso | - |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 1.14V ~ 1.95V |
temperatura di esercizio | -25°C ~ 85°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 121-WFBGA |
Pacchetto dispositivo fornitore | 121-VFBGA (11x10) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT66R7072A10AB5ZZW.ZCA Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MT66R7072A10AB5ZZW.ZCA-FT |
MT53D512M64D4SB-046 XT ES:E
Micron Technology Inc.
MT53D512M64D4SB-046 XT ES:E TR
Micron Technology Inc.
MT53D512M64D4SB-046 XT:D
Micron Technology Inc.
MT53D512M64D4SB-046 XT:D TR
Micron Technology Inc.
MT53D512M64D8HR-053 WT ES:B
Micron Technology Inc.
MT53D512M64D8HR-053 WT ES:B TR
Micron Technology Inc.
MT53D512M64D8HR-053 WT:B
Micron Technology Inc.
MT53D512M64D8TZ-053 WT ES:B
Micron Technology Inc.
MT53D512M64D8TZ-053 WT ES:B TR
Micron Technology Inc.
MT53D512M64D8TZ-053 WT:B
Micron Technology Inc.
A3P400-1FGG256
Microsemi Corporation
M2GL050S-1VFG400I
Microsemi Corporation
EPF10K10ATC100-3
Intel
EP4CE15F23C7
Intel
A1010B-1PL44I
Microsemi Corporation
XC2VP7-6FFG672I
Xilinx Inc.
APA600-FGG676I
Microsemi Corporation
LCMXO2-4000HE-5FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
5CGTFD7D5F31I7N
Intel
10AX115R1F40E1SG
Intel