casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / MT61M256M32JE-12 N:A TR
codice articolo del costruttore | MT61M256M32JE-12 N:A TR |
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Numero di parte futuro | FT-MT61M256M32JE-12 N:A TR |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT61M256M32JE-12 N:A TR Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Volatile |
Formato di memoria | RAM |
Tecnologia | SGRAM - GDDR6 |
Dimensione della memoria | 8Gb (256M x 32) |
Frequenza di clock | 1.5GHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | - |
Tempo di accesso | - |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 1.21V ~ 1.29V |
temperatura di esercizio | 0°C ~ 95°C (TC) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 180-TFBGA |
Pacchetto dispositivo fornitore | 180-FBGA (12x14) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT61M256M32JE-12 N:A TR Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MT61M256M32JE-12 N:A TR-FT |
MT53D512M64D4RQ-053 WT ES:E TR
Micron Technology Inc.
MT53D512M64D4SB-046 XT ES:E
Micron Technology Inc.
MT53D512M64D4SB-046 XT ES:E TR
Micron Technology Inc.
MT53D512M64D4SB-046 XT:D
Micron Technology Inc.
MT53D512M64D4SB-046 XT:D TR
Micron Technology Inc.
MT53D512M64D8HR-053 WT ES:B
Micron Technology Inc.
MT53D512M64D8HR-053 WT ES:B TR
Micron Technology Inc.
MT53D512M64D8HR-053 WT:B
Micron Technology Inc.
MT53D512M64D8TZ-053 WT ES:B
Micron Technology Inc.
MT53D512M64D8TZ-053 WT ES:B TR
Micron Technology Inc.
M1AFS600-2FG484
Microsemi Corporation
AGL060V5-VQG100I
Microsemi Corporation
AGLN060V5-VQG100I
Microsemi Corporation
5SGXEA7N2F40C3N
Intel
5CGXFC4F6M11C7N
Intel
5SGXEB6R3F43C3
Intel
EP4SGX360KF43I4
Intel
XC4VFX60-10FF672C
Xilinx Inc.
LCMXO1200E-4M132I
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K400EBC652-2X
Intel