casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / MT53D512M32D2NP-046 AIT ES:D
codice articolo del costruttore | MT53D512M32D2NP-046 AIT ES:D |
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Numero di parte futuro | FT-MT53D512M32D2NP-046 AIT ES:D |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT53D512M32D2NP-046 AIT ES:D Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo di memoria | Volatile |
Formato di memoria | DRAM |
Tecnologia | SDRAM - Mobile LPDDR4 |
Dimensione della memoria | 16Gb (512M x 32) |
Frequenza di clock | 2133MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | - |
Tempo di accesso | - |
Interfaccia di memoria | - |
Tensione - Fornitura | 1.1V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo di montaggio | - |
Pacchetto / caso | - |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT53D512M32D2NP-046 AIT ES:D Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MT53D512M32D2NP-046 AIT ES:D-FT |
MT53D384M32D2DS-046 AIT:C TR
Micron Technology Inc.
MT53D384M32D2DS-046 AUT:C
Micron Technology Inc.
MT53D384M32D2DS-046 AUT:C TR
Micron Technology Inc.
MT53D384M32D2DS-046 WT ES:E
Micron Technology Inc.
MT53D384M32D2DS-053 AAT ES:C
Micron Technology Inc.
MT53D384M32D2DS-053 AAT ES:C TR
Micron Technology Inc.
MT53D384M32D2DS-053 AAT:C
Micron Technology Inc.
MT53D384M32D2DS-053 AAT:C TR
Micron Technology Inc.
MT53D384M32D2DS-053 AIT:C
Micron Technology Inc.
MT53D384M32D2DS-053 AIT:C TR
Micron Technology Inc.
A40MX02-VQ80M
Microsemi Corporation
LAXP2-5E-5TN144E
Lattice Semiconductor Corporation
XC2V40-5FG256I
Xilinx Inc.
XC4010E-4PQ208C
Xilinx Inc.
XC7A25T-2CSG325C
Xilinx Inc.
M1A3P1000-2FGG256
Microsemi Corporation
AGL060V2-VQ100
Microsemi Corporation
EP4CE15U14A7N
Intel
EPF10K30EFC256-2N
Intel
EPF8636AQC208-3
Intel