casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / IS43DR81280B-25DBL
codice articolo del costruttore | IS43DR81280B-25DBL |
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Numero di parte futuro | FT-IS43DR81280B-25DBL |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
IS43DR81280B-25DBL Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Volatile |
Formato di memoria | DRAM |
Tecnologia | SDRAM - DDR2 |
Dimensione della memoria | 1Gb (128M x 8) |
Frequenza di clock | 400MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 15ns |
Tempo di accesso | 400ps |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 1.7V ~ 1.9V |
temperatura di esercizio | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 60-TFBGA |
Pacchetto dispositivo fornitore | 60-TWBGA (8x10.5) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IS43DR81280B-25DBL Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IS43DR81280B-25DBL-FT |
IS61WV12824-8BL
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS61WV12824-8BL-TR
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS61WV204816BLL-10BLI-TR
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS61WV204816BLL-10TLI-TR
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS61WV51216EEBLL-10B2LI
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS61WV51216EEBLL-10B2LI-TR
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS61WV51216EEBLL-10BLI
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS61WV51216EEBLL-10BLI-TR
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS61WV51216EEBLL-10T2LI
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS61WV51216EEBLL-10T2LI-TR
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
XC3S50A-5FTG256C
Xilinx Inc.
XC3S1500-4FG676C
Xilinx Inc.
XC2VP70-6FF1517I
Xilinx Inc.
EPF10K200SFC672-3
Intel
EP4CGX150CF23I7
Intel
LFE2-12SE-6F256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2SGX130GF40C5NES
Intel
10AX048E2F29I1SG
Intel
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Intel
EP20K60EFC324-2
Intel