casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / MT53D4DANY-DC
codice articolo del costruttore | MT53D4DANY-DC |
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Numero di parte futuro | FT-MT53D4DANY-DC |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT53D4DANY-DC Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo di memoria | Volatile |
Formato di memoria | DRAM |
Tecnologia | SDRAM - Mobile LPDDR4 |
Dimensione della memoria | - |
Frequenza di clock | - |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | - |
Tempo di accesso | - |
Interfaccia di memoria | - |
Tensione - Fornitura | - |
temperatura di esercizio | - |
Tipo di montaggio | - |
Pacchetto / caso | - |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT53D4DANY-DC Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MT53D4DANY-DC-FT |
MT53D1G64D8NW-046 WT ES:E
Micron Technology Inc.
MT53D1G64D8NW-046 WT ES:E TR
Micron Technology Inc.
MT53D1G64D8NW-053 WT ES:E
Micron Technology Inc.
MT53D1G64D8NW-053 WT ES:E TR
Micron Technology Inc.
MT53D1G64D8NW-062 WT ES:D
Micron Technology Inc.
MT53D1G64D8NW-062 WT ES:D TR
Micron Technology Inc.
MT53D1G64D8NW-062 WT:D
Micron Technology Inc.
MT53D1G64D8NW-062 WT:D TR
Micron Technology Inc.
MT53D1G64D8NZ-046 WT ES:E
Micron Technology Inc.
MT53D1G64D8NZ-046 WT ES:E TR
Micron Technology Inc.