casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / MT53B512M64D4EZ-062 WT:B
codice articolo del costruttore | MT53B512M64D4EZ-062 WT:B |
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Numero di parte futuro | FT-MT53B512M64D4EZ-062 WT:B |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT53B512M64D4EZ-062 WT:B Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo di memoria | Volatile |
Formato di memoria | DRAM |
Tecnologia | SDRAM - Mobile LPDDR4 |
Dimensione della memoria | 32Gb (512M x 64) |
Frequenza di clock | 1600MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | - |
Tempo di accesso | - |
Interfaccia di memoria | - |
Tensione - Fornitura | 1.1V |
temperatura di esercizio | -30°C ~ 85°C (TC) |
Tipo di montaggio | - |
Pacchetto / caso | - |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT53B512M64D4EZ-062 WT:B Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MT53B512M64D4EZ-062 WT:B-FT |
MT53B2DDNP-DC
Micron Technology Inc.
MT53B2DDNP-DC TR
Micron Technology Inc.
MT53B2G32D8QD-062 WT ES:D
Micron Technology Inc.
MT53B2G32D8QD-062 WT ES:D TR
Micron Technology Inc.
MT53B2G32D8QD-062 WT:D
Micron Technology Inc.
MT53B2G32D8QD-062 WT:D TR
Micron Technology Inc.
MT53B384M16D1NK-062 WT ES:B
Micron Technology Inc.
MT53B384M16D1NK-062 WT ES:B TR
Micron Technology Inc.
MT53B384M16D1Z0APWC1
Micron Technology Inc.
MT53B384M16D1Z0AQWC1
Micron Technology Inc.
XC6SLX150T-2FGG484I
Xilinx Inc.
M1A3P400-2PQG208
Microsemi Corporation
LFE5UM-85F-7BG756C
Lattice Semiconductor Corporation
XC2V1500-4BGG575C
Xilinx Inc.
AX500-FGG676
Microsemi Corporation
LFX200EB-05FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M35E-5FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-12SE-6FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
5CEBA9F31C8N
Intel
EP20K1000EBI652-2X
Intel