casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / MT53B512M64D4TX-053 WT ES:C
codice articolo del costruttore | MT53B512M64D4TX-053 WT ES:C |
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Numero di parte futuro | FT-MT53B512M64D4TX-053 WT ES:C |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT53B512M64D4TX-053 WT ES:C Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo di memoria | Volatile |
Formato di memoria | DRAM |
Tecnologia | SDRAM - Mobile LPDDR4 |
Dimensione della memoria | 32Gb (512M x 64) |
Frequenza di clock | 1866MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | - |
Tempo di accesso | - |
Interfaccia di memoria | - |
Tensione - Fornitura | 1.1V |
temperatura di esercizio | -30°C ~ 85°C (TC) |
Tipo di montaggio | - |
Pacchetto / caso | - |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT53B512M64D4TX-053 WT ES:C Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MT53B512M64D4TX-053 WT ES:C-FT |
MT53B384M64D4NH-062 WT:B TR
Micron Technology Inc.
MT53B384M64D4NK-053 WT ES:A
Micron Technology Inc.
MT53B384M64D4NK-053 WT ES:A TR
Micron Technology Inc.
MT53B384M64D4NK-053 WT ES:B
Micron Technology Inc.
MT53B384M64D4NK-053 WT ES:B TR
Micron Technology Inc.
MT53B384M64D4NK-062 WT ES:B
Micron Technology Inc.
MT53B384M64D4NK-062 WT ES:B TR
Micron Technology Inc.
MT53B384M64D4NK-062 WT:A TR
Micron Technology Inc.
MT53B384M64D4NK-062 WT:B
Micron Technology Inc.
MT53B384M64D4NK-062 WT:B TR
Micron Technology Inc.
XCS10XL-4VQG100I
Xilinx Inc.
XC6SLX25T-3FGG484I
Xilinx Inc.
A3P250L-VQG100I
Microsemi Corporation
5CEBA4F17C6N
Intel
EP4CE22E22C8L
Intel
LFE2M100E-7F900C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO1200E-3B256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HC-4MG132C
Lattice Semiconductor Corporation
5CEFA7F23I7N
Intel
5AGTFC7H3F35I3G
Intel