casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / MT53B512M64D4NW-062 WT ES:D
codice articolo del costruttore | MT53B512M64D4NW-062 WT ES:D |
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Numero di parte futuro | FT-MT53B512M64D4NW-062 WT ES:D |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT53B512M64D4NW-062 WT ES:D Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo di memoria | Volatile |
Formato di memoria | DRAM |
Tecnologia | SDRAM - Mobile LPDDR4 |
Dimensione della memoria | 32Gb (512M x 64) |
Frequenza di clock | 1600MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | - |
Tempo di accesso | - |
Interfaccia di memoria | - |
Tensione - Fornitura | 1.1V |
temperatura di esercizio | -30°C ~ 85°C (TC) |
Tipo di montaggio | - |
Pacchetto / caso | - |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT53B512M64D4NW-062 WT ES:D Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MT53B512M64D4NW-062 WT ES:D-FT |
MT53B384M32D2DS-062 XT:B TR
Micron Technology Inc.
MT53B384M32D2NK-062 WT ES:B
Micron Technology Inc.
MT53B384M32D2NK-062 WT ES:B TR
Micron Technology Inc.
MT53B384M32D2NP-053 WT:B
Micron Technology Inc.
MT53B384M32D2NP-053 WT:B TR
Micron Technology Inc.
MT53B384M32D2NP-062 XT:B
Micron Technology Inc.
MT53B384M32D2NP-062 XT:B TR
Micron Technology Inc.
MT53B384M64D4EZ-062 WT ES:A TR
Micron Technology Inc.
MT53B384M64D4EZ-062 WT ES:B
Micron Technology Inc.
MT53B384M64D4EZ-062 WT ES:B TR
Micron Technology Inc.
M2GL010T-FG484
Microsemi Corporation
EP1SGX25DF672C5N
Intel
EPF10K50SFC256-1X
Intel
EP1M350F780I6
Intel
XC2V1500-5BGG575C
Xilinx Inc.
XC5VLX220T-1FF1738C
Xilinx Inc.
LFE2-20E-6F256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-20E-6F484C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE5U-45F-6BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K130EBC356-2
Intel