casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / MT53B384M64D4EZ-062 WT ES:A TR
codice articolo del costruttore | MT53B384M64D4EZ-062 WT ES:A TR |
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Numero di parte futuro | FT-MT53B384M64D4EZ-062 WT ES:A TR |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT53B384M64D4EZ-062 WT ES:A TR Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo di memoria | Volatile |
Formato di memoria | DRAM |
Tecnologia | SDRAM - Mobile LPDDR4 |
Dimensione della memoria | 24Gb (384M x 64) |
Frequenza di clock | 1600MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | - |
Tempo di accesso | - |
Interfaccia di memoria | - |
Tensione - Fornitura | 1.1V |
temperatura di esercizio | -30°C ~ 85°C (TC) |
Tipo di montaggio | - |
Pacchetto / caso | - |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT53B384M64D4EZ-062 WT ES:A TR Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MT53B384M64D4EZ-062 WT ES:A TR-FT |
MT53B192M32D1Z9AMWC1
Micron Technology Inc.
MT53B192M64D2SG-062 WT ES:A
Micron Technology Inc.
MT53B192M64D2SG-062 WT ES:A TR
Micron Technology Inc.
MT53B1DADS-DC
Micron Technology Inc.
MT53B1DADS-DC TR
Micron Technology Inc.
MT53B1DATG-DC
Micron Technology Inc.
MT53B1DBDS-DC
Micron Technology Inc.
MT53B1DBDS-DC TR
Micron Technology Inc.
MT53B1DBNP-DC
Micron Technology Inc.
MT53B1DBNP-DC TR
Micron Technology Inc.
XCKU035-1FBVA676I
Xilinx Inc.
XC3S100E-4VQ100C
Xilinx Inc.
M2GL090TS-1FCSG325I
Microsemi Corporation
A3PE3000-2FGG484I
Microsemi Corporation
A3PN030-Z1QNG48I
Microsemi Corporation
M1A3P250-2PQG208
Microsemi Corporation
EP4CE10F17A7N
Intel
EPF10K30EFC256-3
Intel
LFE2-20E-5F484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K100EFC324-1
Intel