casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / MT53B384M16D1NK-062 WT ES:B
codice articolo del costruttore | MT53B384M16D1NK-062 WT ES:B |
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Numero di parte futuro | FT-MT53B384M16D1NK-062 WT ES:B |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT53B384M16D1NK-062 WT ES:B Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo di memoria | Volatile |
Formato di memoria | DRAM |
Tecnologia | SDRAM - Mobile LPDDR4 |
Dimensione della memoria | 6Gb (384M x 16) |
Frequenza di clock | 1600MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | - |
Tempo di accesso | - |
Interfaccia di memoria | - |
Tensione - Fornitura | 1.1V |
temperatura di esercizio | -30°C ~ 85°C (TC) |
Tipo di montaggio | - |
Pacchetto / caso | - |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT53B384M16D1NK-062 WT ES:B Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MT53B384M16D1NK-062 WT ES:B-FT |
MT53B1024M32D4NQ-062 WT:C
Micron Technology Inc.
MT53B1024M64D8PM-062 WT:D
Micron Technology Inc.
MT53B1024M64D8PM-062 WT:D TR
Micron Technology Inc.
MT53B1024M64D8WF-062 WT ES:D
Micron Technology Inc.
MT53B1024M64D8WF-062 WT:D
Micron Technology Inc.
MT53B128M32D1DS-053 AUT:A
Micron Technology Inc.
MT53B128M32D1DS-053 AUT:A TR
Micron Technology Inc.
MT53B128M32D1NP-062 AUT:A
Micron Technology Inc.
MT53B128M32D1NP-062 AUT:A TR
Micron Technology Inc.
MT53B128M32D1Z00NEC2
Micron Technology Inc.
XC2V250-6FG256C
Xilinx Inc.
XC6SLX150T-2FGG676I
Xilinx Inc.
A42MX16-2PQ208
Microsemi Corporation
A42MX24-FPQG208
Microsemi Corporation
EP1K10TI100-2
Intel
XC7K355T-1FFG901I
Xilinx Inc.
XC7K325T-3FFG900E
Xilinx Inc.
LCMXO640E-4MN100C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-2000UHE-6FG484I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115N3F40I2SGE2
Intel