casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / MT53B384M16D1NK-062 WT ES:B
codice articolo del costruttore | MT53B384M16D1NK-062 WT ES:B |
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Numero di parte futuro | FT-MT53B384M16D1NK-062 WT ES:B |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT53B384M16D1NK-062 WT ES:B Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo di memoria | Volatile |
Formato di memoria | DRAM |
Tecnologia | SDRAM - Mobile LPDDR4 |
Dimensione della memoria | 6Gb (384M x 16) |
Frequenza di clock | 1600MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | - |
Tempo di accesso | - |
Interfaccia di memoria | - |
Tensione - Fornitura | 1.1V |
temperatura di esercizio | -30°C ~ 85°C (TC) |
Tipo di montaggio | - |
Pacchetto / caso | - |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT53B384M16D1NK-062 WT ES:B Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MT53B384M16D1NK-062 WT ES:B-FT |
MT53B1024M32D4NQ-062 WT:C
Micron Technology Inc.
MT53B1024M64D8PM-062 WT:D
Micron Technology Inc.
MT53B1024M64D8PM-062 WT:D TR
Micron Technology Inc.
MT53B1024M64D8WF-062 WT ES:D
Micron Technology Inc.
MT53B1024M64D8WF-062 WT:D
Micron Technology Inc.
MT53B128M32D1DS-053 AUT:A
Micron Technology Inc.
MT53B128M32D1DS-053 AUT:A TR
Micron Technology Inc.
MT53B128M32D1NP-062 AUT:A
Micron Technology Inc.
MT53B128M32D1NP-062 AUT:A TR
Micron Technology Inc.
MT53B128M32D1Z00NEC2
Micron Technology Inc.
EPF10K10TC144-4
Intel
A3P125-2PQG208
Microsemi Corporation
A54SX16A-PQG208I
Microsemi Corporation
LFE2M70E-6F1152C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXMA5K2F35C3N
Intel
XC4028XL-1BG256C
Xilinx Inc.
A42MX24-3PL84
Microsemi Corporation
LFE2M20E-5F484I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066K2F40I2LG
Intel
EP3C80F780C8N
Intel