casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / MT53B256M64D2PX-062 XT ES:C TR
codice articolo del costruttore | MT53B256M64D2PX-062 XT ES:C TR |
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Numero di parte futuro | FT-MT53B256M64D2PX-062 XT ES:C TR |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT53B256M64D2PX-062 XT ES:C TR Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Volatile |
Formato di memoria | DRAM |
Tecnologia | SDRAM - Mobile LPDDR4 |
Dimensione della memoria | 16Gb (256M x 64) |
Frequenza di clock | 1600MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | - |
Tempo di accesso | - |
Interfaccia di memoria | - |
Tensione - Fornitura | 1.1V |
temperatura di esercizio | - |
Tipo di montaggio | - |
Pacchetto / caso | - |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT53B256M64D2PX-062 XT ES:C TR Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MT53B256M64D2PX-062 XT ES:C TR-FT |
MT52L256M64D2PD-107 WT:B TR
Micron Technology Inc.
MT52L256M64D2PD-107 XT ES:B TR
Micron Technology Inc.
MT52L256M64D2PD-107 XT:B TR
Micron Technology Inc.
MT52L256M64D2PP-093 WT:B
Micron Technology Inc.
MT52L256M64D2PP-093 WT:B TR
Micron Technology Inc.
MT52L256M64D2QA-125 XT ES:B
Micron Technology Inc.
MT52L256M64D2QB-125 XT ES:B
Micron Technology Inc.
MT52L4DAGN-DC
Micron Technology Inc.
MT52L4DAGN-DC TR
Micron Technology Inc.
MT52L4DAPQ-DC
Micron Technology Inc.