casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / MT53B256M64D2NV MS
codice articolo del costruttore | MT53B256M64D2NV MS |
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Numero di parte futuro | FT-MT53B256M64D2NV MS |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT53B256M64D2NV MS Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo di memoria | Volatile |
Formato di memoria | DRAM |
Tecnologia | SDRAM - Mobile LPDDR4 |
Dimensione della memoria | 16Gb (256M x 64) |
Frequenza di clock | - |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | - |
Tempo di accesso | - |
Interfaccia di memoria | - |
Tensione - Fornitura | 1.1V |
temperatura di esercizio | 0°C ~ 85°C (TC) |
Tipo di montaggio | - |
Pacchetto / caso | - |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT53B256M64D2NV MS Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MT53B256M64D2NV MS-FT |
MT52L256M64D2GN-107 WT ES:B TR
Micron Technology Inc.
MT52L256M64D2GN-107 WT:B
Micron Technology Inc.
MT52L256M64D2GN-107 WT:B TR
Micron Technology Inc.
MT52L256M64D2LZ-107 XT:B
Micron Technology Inc.
MT52L256M64D2LZ-107 XT:B TR
Micron Technology Inc.
MT52L256M64D2PD-107 WT ES:B TR
Micron Technology Inc.
MT52L256M64D2PD-107 WT:B
Micron Technology Inc.
MT52L256M64D2PD-107 WT:B TR
Micron Technology Inc.
MT52L256M64D2PD-107 XT ES:B TR
Micron Technology Inc.
MT52L256M64D2PD-107 XT:B TR
Micron Technology Inc.
XC4006E-2TQ144I
Xilinx Inc.
A54SX32A-CQ208M
Microsemi Corporation
M2GL050-1VFG400
Microsemi Corporation
10CX220YF780I5G
Intel
5CGXFC4F6M11I7N
Intel
XC7VX690T-L2FFG1761E
Xilinx Inc.
A42MX09-TQG176
Microsemi Corporation
A42MX16-1PQ160
Microsemi Corporation
LFE2M35SE-6F484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K200EBC356-2
Intel