casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / MT53B128M32D1DS-053 AUT:A TR
codice articolo del costruttore | MT53B128M32D1DS-053 AUT:A TR |
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Numero di parte futuro | FT-MT53B128M32D1DS-053 AUT:A TR |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT53B128M32D1DS-053 AUT:A TR Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo di memoria | Volatile |
Formato di memoria | DRAM |
Tecnologia | SDRAM - Mobile LPDDR4 |
Dimensione della memoria | 4Gb (128M x 32) |
Frequenza di clock | 1866MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | - |
Tempo di accesso | - |
Interfaccia di memoria | - |
Tensione - Fornitura | 1.1V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 125°C (TC) |
Tipo di montaggio | - |
Pacchetto / caso | - |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT53B128M32D1DS-053 AUT:A TR Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MT53B128M32D1DS-053 AUT:A TR-FT |
MT49H32M18CFM-25E:B TR
Micron Technology Inc.
MT49H32M18FM-25:B
Micron Technology Inc.
MT49H32M18FM-25:B TR
Micron Technology Inc.
MT49H32M18FM-25E:B
Micron Technology Inc.
MT49H32M18FM-25E:B TR
Micron Technology Inc.
MT49H32M18FM-33:B
Micron Technology Inc.
MT49H32M18FM-33:B TR
Micron Technology Inc.
MT49H32M9BM-25:B
Micron Technology Inc.
MT49H32M9BM-25:B TR
Micron Technology Inc.
MT49H32M9BM-33:B
Micron Technology Inc.
XC2S150-5FGG456I
Xilinx Inc.
XC6SLX25-2FGG484I
Xilinx Inc.
XC7A100T-1FGG484I
Xilinx Inc.
A42MX36-2PQG208
Microsemi Corporation
LFE5UM-45F-7BG554I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2C8F256C7
Intel
5SGXEB6R2F40C2L
Intel
EP4CGX15BF14C7N
Intel
XC4VLX40-10FFG668C
Xilinx Inc.
EP1S30F1020C7N
Intel