casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / MT53B256M32D1NP-053 WT:C
codice articolo del costruttore | MT53B256M32D1NP-053 WT:C |
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Numero di parte futuro | FT-MT53B256M32D1NP-053 WT:C |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT53B256M32D1NP-053 WT:C Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Volatile |
Formato di memoria | DRAM |
Tecnologia | SDRAM - Mobile LPDDR4 |
Dimensione della memoria | 8Gb (256M x 32) |
Frequenza di clock | 1866MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | - |
Tempo di accesso | - |
Interfaccia di memoria | - |
Tensione - Fornitura | 1.1V |
temperatura di esercizio | -30°C ~ 85°C (TC) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | - |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT53B256M32D1NP-053 WT:C Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MT53B256M32D1NP-053 WT:C-FT |
MT41K256M16TW-107 AUT:P
Micron Technology Inc.
MT41K256M16TW-107 AUT:P TR
Micron Technology Inc.
MT41K256M16TW-107:P TR
Micron Technology Inc.
MT41K256M16V00HWC1
Micron Technology Inc.
MT41K256M4DA-107:J
Micron Technology Inc.
MT41K256M4DA-107:J TR
Micron Technology Inc.
MT41K512M4DA-125:K
Micron Technology Inc.
MT41K512M4DA-125:K TR
Micron Technology Inc.
MT41K512M8DA-107 V:P
Micron Technology Inc.
MT41K512M8DA-107 V:P TR
Micron Technology Inc.
XC6SLX100-2FG484I
Xilinx Inc.
EP4S100G2F40I1N
Intel
5SGXMA5H2F35I3LN
Intel
A1020B-PL44C
Microsemi Corporation
XC5VLX330T-1FFG1738I
Xilinx Inc.
XC6SLX4-2CPG196I
Xilinx Inc.
A54SX32A-FBG329
Microsemi Corporation
LCMXO2-256ZE-2UMG64I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HC-5FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE110F780C4LN
Intel