casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / MT41K256M16TW-107:P TR
codice articolo del costruttore | MT41K256M16TW-107:P TR |
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Numero di parte futuro | FT-MT41K256M16TW-107:P TR |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT41K256M16TW-107:P TR Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Volatile |
Formato di memoria | DRAM |
Tecnologia | SDRAM - DDR3L |
Dimensione della memoria | 4Gb (256M x 16) |
Frequenza di clock | 933MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | - |
Tempo di accesso | 20ns |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 1.283V ~ 1.45V |
temperatura di esercizio | 0°C ~ 95°C (TC) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 96-TFBGA |
Pacchetto dispositivo fornitore | 96-FBGA (8x14) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT41K256M16TW-107:P TR Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MT41K256M16TW-107:P TR-FT |
MT29F64G08AECABH1-10ITZ:A
Micron Technology Inc.
MT29F64G08AECABH1-10ITZ:A TR
Micron Technology Inc.
MT29F64G08AECABH1-10Z:A
Micron Technology Inc.
MT29F64G08AECABH1-10Z:A TR
Micron Technology Inc.
MT29F64G08AECDBJ4-6IT:D
Micron Technology Inc.
MT29F64G08AECDBJ4-6IT:D TR
Micron Technology Inc.
MT29F64G08AECDBJ4-6ITR:D
Micron Technology Inc.
MT29F64G08AECDBJ4-6ITR:D TR
Micron Technology Inc.
MT29F64G08CBABAL84A3WC1
Micron Technology Inc.
MT29F64G08CBABAL84A3WC1-M
Micron Technology Inc.
A42MX36-BGG272
Microsemi Corporation
A3PN125-Z2VQ100
Microsemi Corporation
EP2C70F672I8
Intel
EP4CGX110DF27C8N
Intel
EP20K30EFI144-2X
Intel
XC7K480T-L2FFG901I
Xilinx Inc.
XC7A25T-1CPG238I
Xilinx Inc.
LCMXO2-4000HC-6FG484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S20F780C5N
Intel
EP1C12F324C7N
Intel