casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / MT53B256M32D1DS-062 AAT:C TR
codice articolo del costruttore | MT53B256M32D1DS-062 AAT:C TR |
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Numero di parte futuro | FT-MT53B256M32D1DS-062 AAT:C TR |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT53B256M32D1DS-062 AAT:C TR Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Volatile |
Formato di memoria | DRAM |
Tecnologia | SDRAM - Mobile LPDDR4 |
Dimensione della memoria | 8Gb (256M x 32) |
Frequenza di clock | 1600MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | - |
Tempo di accesso | - |
Interfaccia di memoria | - |
Tensione - Fornitura | 1.1V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 105°C (TA) |
Tipo di montaggio | - |
Pacchetto / caso | - |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT53B256M32D1DS-062 AAT:C TR Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MT53B256M32D1DS-062 AAT:C TR-FT |
MT41K128M16JT-125 AUT:K
Micron Technology Inc.
MT41K128M16JT-125 AUT:K TR
Micron Technology Inc.
MT41K128M16JT-125:K TR
Micron Technology Inc.
MT41K128M16V89C3WC1
Micron Technology Inc.
MT41K256M16TW-093:P TR
Micron Technology Inc.
MT41K256M16TW-107 AUT:P
Micron Technology Inc.
MT41K256M16TW-107 AUT:P TR
Micron Technology Inc.
MT41K256M16TW-107:P TR
Micron Technology Inc.
MT41K256M16V00HWC1
Micron Technology Inc.
MT41K256M4DA-107:J
Micron Technology Inc.