casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / MT47H32M16NF-25E IT:H TR
codice articolo del costruttore | MT47H32M16NF-25E IT:H TR |
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Numero di parte futuro | FT-MT47H32M16NF-25E IT:H TR |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT47H32M16NF-25E IT:H TR Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Volatile |
Formato di memoria | DRAM |
Tecnologia | SDRAM - DDR2 |
Dimensione della memoria | 512Mb (32M x 16) |
Frequenza di clock | 400MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 15ns |
Tempo di accesso | 400ps |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 1.7V ~ 1.9V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 84-TFBGA |
Pacchetto dispositivo fornitore | 84-FBGA (8x12.5) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT47H32M16NF-25E IT:H TR Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MT47H32M16NF-25E IT:H TR-FT |
M29W320DB70ZE6E
Micron Technology Inc.
M29W320DB70ZE6F TR
Micron Technology Inc.
M29W320DT70ZE6E
Micron Technology Inc.
M29W320DT70ZE6F TR
Micron Technology Inc.
M29W320EB70ZE6E
Micron Technology Inc.
M29W320EB70ZE6F TR
Micron Technology Inc.
M29W320ET70ZE6E
Micron Technology Inc.
M29W320ET70ZE6F TR
Micron Technology Inc.
M29W400BT55ZA1
Micron Technology Inc.
M29W400DB45ZE6E
Micron Technology Inc.
A3PN020-QNG68
Microsemi Corporation
LCMXO640E-4TN100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S200AN-4FTG256C
Xilinx Inc.
XCV812E-6FG900C
Xilinx Inc.
XC7A50T-2CS325I
Xilinx Inc.
5CEBA9F27C7N
Intel
5SGXEA5H1F35I2N
Intel
LFE2-35SE-5FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMA3D4F31I3G
Intel
EPF10K30AQC208-1N
Intel