casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / MT52L256M32D1PF-107 WT:B
codice articolo del costruttore | MT52L256M32D1PF-107 WT:B |
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Numero di parte futuro | FT-MT52L256M32D1PF-107 WT:B |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT52L256M32D1PF-107 WT:B Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Volatile |
Formato di memoria | DRAM |
Tecnologia | SDRAM - Mobile LPDDR3 |
Dimensione della memoria | 8Gb (256M x 32) |
Frequenza di clock | 933MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | - |
Tempo di accesso | - |
Interfaccia di memoria | - |
Tensione - Fornitura | 1.2V |
temperatura di esercizio | -30°C ~ 85°C (TC) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 178-VFBGA |
Pacchetto dispositivo fornitore | 178-FBGA (11.5x11) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT52L256M32D1PF-107 WT:B Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MT52L256M32D1PF-107 WT:B-FT |
MT29F1G01ABBFDWB-IT:F TR
Micron Technology Inc.
MT29F2G01ABAGDWB-IT:G TR
Micron Technology Inc.
MT29F2G01ABBGDWB-IT:G
Micron Technology Inc.
MT29F2G01ABBGDWB-IT:G TR
Micron Technology Inc.
MT29F4G01ADAGDWB-IT:G TR
Micron Technology Inc.
N25Q032A13EF440F TR
Micron Technology Inc.
MT47H32M16NF-25E IT:H TR
Micron Technology Inc.
MT47H32M16NF-25E AAT:H
Micron Technology Inc.
MT47H32M16NF-25E AIT:H
Micron Technology Inc.
MT47H32M16NF-187E:H
Micron Technology Inc.
A54SX32A-FGG484
Microsemi Corporation
EP4S100G3F45I1
Intel
EP4SE820F43I4N
Intel
5SGXMA7K1F35C2LN
Intel
XC6VLX365T-L1FF1759I
Xilinx Inc.
XC2VP30-7FFG896C
Xilinx Inc.
AGL1000V5-FG144
Microsemi Corporation
LFXP2-30E-6F672C
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXBC4C7U19C8N
Intel
EP1S25F1020C5
Intel