casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / MT49H16M36SJ-25 IT:B

| codice articolo del costruttore | MT49H16M36SJ-25 IT:B |
|---|---|
| Numero di parte futuro | FT-MT49H16M36SJ-25 IT:B |
| SPQ / MOQ | Contattaci |
| Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
| serie | - |
| MT49H16M36SJ-25 IT:B Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
| Stato parte | Obsolete |
| Tipo di memoria | Volatile |
| Formato di memoria | DRAM |
| Tecnologia | DRAM |
| Dimensione della memoria | 576Mb (16M x 36) |
| Frequenza di clock | 400MHz |
| Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | - |
| Tempo di accesso | 20ns |
| Interfaccia di memoria | Parallel |
| Tensione - Fornitura | 1.7V ~ 1.9V |
| temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / caso | 144-TFBGA |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 144-FBGA (18.5x11) |
| Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| MT49H16M36SJ-25 IT:B Peso | Contattaci |
| Numero parte di ricambio | MT49H16M36SJ-25 IT:B-FT |

MT47H64M8B6-37E:D TR
Micron Technology Inc.

MT47H64M8B6-3:D TR
Micron Technology Inc.

MT47H64M8B6-5E IT:D TR
Micron Technology Inc.

MT47H64M8B6-5E:D TR
Micron Technology Inc.

MT47H64M8CB-25:B
Micron Technology Inc.

MT47H64M8CB-25:B TR
Micron Technology Inc.

MT47H64M8CB-37E IT:B
Micron Technology Inc.

MT47H64M8CB-37E IT:B TR
Micron Technology Inc.

MT47H64M8CB-37E:B
Micron Technology Inc.

MT47H64M8CB-37E:B TR
Micron Technology Inc.

XC2V3000-5FGG676I
Xilinx Inc.

M2GL025TS-1FCSG325I
Microsemi Corporation

AX125-1FG256I
Microsemi Corporation

EP4CGX50DF27C7
Intel

EP3SL70F484I3N
Intel

EP2AGX45DF25C6
Intel

5SGXMB9R3H43C3N
Intel

XC5VSX240T-2FF1738CES
Xilinx Inc.

XC2VP4-5FF672C
Xilinx Inc.

LFE3-95EA-7LFN1156C
Lattice Semiconductor Corporation