casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / MT49H16M36SJ-25 IT:B
codice articolo del costruttore | MT49H16M36SJ-25 IT:B |
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Numero di parte futuro | FT-MT49H16M36SJ-25 IT:B |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT49H16M36SJ-25 IT:B Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo di memoria | Volatile |
Formato di memoria | DRAM |
Tecnologia | DRAM |
Dimensione della memoria | 576Mb (16M x 36) |
Frequenza di clock | 400MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | - |
Tempo di accesso | 20ns |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 1.7V ~ 1.9V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 144-TFBGA |
Pacchetto dispositivo fornitore | 144-FBGA (18.5x11) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT49H16M36SJ-25 IT:B Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MT49H16M36SJ-25 IT:B-FT |
MT47H64M8B6-37E:D TR
Micron Technology Inc.
MT47H64M8B6-3:D TR
Micron Technology Inc.
MT47H64M8B6-5E IT:D TR
Micron Technology Inc.
MT47H64M8B6-5E:D TR
Micron Technology Inc.
MT47H64M8CB-25:B
Micron Technology Inc.
MT47H64M8CB-25:B TR
Micron Technology Inc.
MT47H64M8CB-37E IT:B
Micron Technology Inc.
MT47H64M8CB-37E IT:B TR
Micron Technology Inc.
MT47H64M8CB-37E:B
Micron Technology Inc.
MT47H64M8CB-37E:B TR
Micron Technology Inc.
EPF10K10TC144-4
Intel
A3P125-2PQG208
Microsemi Corporation
A54SX16A-PQG208I
Microsemi Corporation
LFE2M70E-6F1152C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXMA5K2F35C3N
Intel
XC4028XL-1BG256C
Xilinx Inc.
A42MX24-3PL84
Microsemi Corporation
LFE2M20E-5F484I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066K2F40I2LG
Intel
EP3C80F780C8N
Intel