casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / MT49H16M36SJ-18:B
codice articolo del costruttore | MT49H16M36SJ-18:B |
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Numero di parte futuro | FT-MT49H16M36SJ-18:B |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT49H16M36SJ-18:B Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Volatile |
Formato di memoria | DRAM |
Tecnologia | DRAM |
Dimensione della memoria | 576Mb (16M x 36) |
Frequenza di clock | 533MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | - |
Tempo di accesso | 15ns |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 1.7V ~ 1.9V |
temperatura di esercizio | 0°C ~ 95°C (TC) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 144-TFBGA |
Pacchetto dispositivo fornitore | 144-FBGA (18.5x11) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT49H16M36SJ-18:B Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MT49H16M36SJ-18:B-FT |
MT47H64M8B6-37E IT:D TR
Micron Technology Inc.
MT47H64M8B6-37E:D TR
Micron Technology Inc.
MT47H64M8B6-3:D TR
Micron Technology Inc.
MT47H64M8B6-5E IT:D TR
Micron Technology Inc.
MT47H64M8B6-5E:D TR
Micron Technology Inc.
MT47H64M8CB-25:B
Micron Technology Inc.
MT47H64M8CB-25:B TR
Micron Technology Inc.
MT47H64M8CB-37E IT:B
Micron Technology Inc.
MT47H64M8CB-37E IT:B TR
Micron Technology Inc.
MT47H64M8CB-37E:B
Micron Technology Inc.
XA2S200E-6FT256Q
Xilinx Inc.
APA450-FG484
Microsemi Corporation
APA1000-PQG208M
Microsemi Corporation
LCMXO3L-6900C-5BG400C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGSED8K3F40C2L
Intel
10CL025YE144I7G
Intel
XC7VX690T-2FFG1927I
Xilinx Inc.
5AGXBB5D4F35C5N
Intel
EP3SL150F780C2N
Intel
EPF10K200SBC356-3
Intel