casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / MT49H16M18SJ-25:B
codice articolo del costruttore | MT49H16M18SJ-25:B |
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Numero di parte futuro | FT-MT49H16M18SJ-25:B |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT49H16M18SJ-25:B Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo di memoria | Volatile |
Formato di memoria | DRAM |
Tecnologia | DRAM |
Dimensione della memoria | 288Mb (16M x 18) |
Frequenza di clock | 400MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | - |
Tempo di accesso | 20ns |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 1.7V ~ 1.9V |
temperatura di esercizio | 0°C ~ 95°C (TC) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 144-TBGA |
Pacchetto dispositivo fornitore | 144-FBGA (18.5x11) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT49H16M18SJ-25:B Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MT49H16M18SJ-25:B-FT |
MT47H64M8B6-3 IT:D TR
Micron Technology Inc.
MT47H64M8B6-37E IT:D TR
Micron Technology Inc.
MT47H64M8B6-37E:D TR
Micron Technology Inc.
MT47H64M8B6-3:D TR
Micron Technology Inc.
MT47H64M8B6-5E IT:D TR
Micron Technology Inc.
MT47H64M8B6-5E:D TR
Micron Technology Inc.
MT47H64M8CB-25:B
Micron Technology Inc.
MT47H64M8CB-25:B TR
Micron Technology Inc.
MT47H64M8CB-37E IT:B
Micron Technology Inc.
MT47H64M8CB-37E IT:B TR
Micron Technology Inc.
A1010B-VQG80C
Microsemi Corporation
XC3S1600E-4FG400I
Xilinx Inc.
XC3S5000-5FGG900C
Xilinx Inc.
M1A3P600L-FGG484
Microsemi Corporation
APA300-BG456
Microsemi Corporation
A40MX02-PL68
Microsemi Corporation
EP3SL150F1152I4
Intel
XC4010E-3PC84I
Xilinx Inc.
XC2VP50-7FFG1152C
Xilinx Inc.
EP1C20F324C6
Intel