casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / MT47H64M8CF-25E AIT:G
codice articolo del costruttore | MT47H64M8CF-25E AIT:G |
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Numero di parte futuro | FT-MT47H64M8CF-25E AIT:G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT47H64M8CF-25E AIT:G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo di memoria | Volatile |
Formato di memoria | DRAM |
Tecnologia | SDRAM - DDR2 |
Dimensione della memoria | 512Mb (64M x 8) |
Frequenza di clock | 400MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 15ns |
Tempo di accesso | 400ps |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 1.7V ~ 1.9V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 95°C (TC) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 60-TFBGA |
Pacchetto dispositivo fornitore | 60-FBGA (8x10) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT47H64M8CF-25E AIT:G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MT47H64M8CF-25E AIT:G-FT |
MT48V8M16LFF4-8 XT:G TR
Micron Technology Inc.
MT48V8M16LFF4-8:G
Micron Technology Inc.
MT48V8M16LFF4-8:G TR
Micron Technology Inc.
MT47H128M16RT-25E:C
Micron Technology Inc.
MT47H128M16RT-25E IT:C
Micron Technology Inc.
MT47H128M16RT-25E:C TR
Micron Technology Inc.
IS43DR16640B-25DBL
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS43DR16640B-25DBLI
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS43DR16640B-25DBL-TR
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS43DR16640B-25DBLI-TR
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc