casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / IS43DR16640B-25DBLI
codice articolo del costruttore | IS43DR16640B-25DBLI |
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Numero di parte futuro | FT-IS43DR16640B-25DBLI |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
IS43DR16640B-25DBLI Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Volatile |
Formato di memoria | DRAM |
Tecnologia | SDRAM - DDR2 |
Dimensione della memoria | 1Gb (64M x 16) |
Frequenza di clock | 400MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 15ns |
Tempo di accesso | 400ps |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 1.7V ~ 1.9V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 84-TFBGA |
Pacchetto dispositivo fornitore | 84-WBGA (8x12.5) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IS43DR16640B-25DBLI Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IS43DR16640B-25DBLI-FT |
MT48LC16M16A2B4-6A XIT:G TR
Micron Technology Inc.
MT48LC8M16A2B4-6A AAT:L
Micron Technology Inc.
MT48LC8M16A2B4-6A XIT:L TR
Micron Technology Inc.
MT48H16M16LFBF-75 IT:H TR
Micron Technology Inc.
MT48H32M16LFB4-75 IT:C
Micron Technology Inc.
MT48H32M16LFB4-75B IT:C
Micron Technology Inc.
MT48H4M16LFB4-10
Micron Technology Inc.
MT48H4M16LFB4-10 IT
Micron Technology Inc.
MT48H4M16LFB4-10 IT TR
Micron Technology Inc.
MT48H4M16LFB4-10 TR
Micron Technology Inc.
XC4006E-3TQ144C
Xilinx Inc.
XC6SLX150T-N3FGG900C
Xilinx Inc.
LFE3-17EA-6FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
10M08DCF484I7G
Intel
EP3CLS150F484C8
Intel
EP4CE115F23C7
Intel
XC2VP20-6FFG1152I
Xilinx Inc.
LCMXO2-4000HE-6BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX027E2F27E1HG
Intel
EP4SGX360HF35I3N
Intel