casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / MT47H64M16B7-5E:A
codice articolo del costruttore | MT47H64M16B7-5E:A |
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Numero di parte futuro | FT-MT47H64M16B7-5E:A |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT47H64M16B7-5E:A Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Discontinued at Future Semiconductor |
Tipo di memoria | Volatile |
Formato di memoria | DRAM |
Tecnologia | SDRAM - DDR2 |
Dimensione della memoria | 1Gb (64M x 16) |
Frequenza di clock | 200MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 15ns |
Tempo di accesso | 600ps |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 1.7V ~ 1.9V |
temperatura di esercizio | 0°C ~ 85°C (TC) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 92-VFBGA |
Pacchetto dispositivo fornitore | 92-FBGA (11x19) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT47H64M16B7-5E:A Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MT47H64M16B7-5E:A-FT |
MT29F4G16ABADAWP-AIT:D TR
Micron Technology Inc.
MT29F64G08CBABAWP-M:B TR
Micron Technology Inc.
MT29F8G08ABACAWP-IT:C TR
Micron Technology Inc.
MT29F8G16ABACAWP-IT:C TR
Micron Technology Inc.
MT29F1G08ABAFAWP-ITE:F
Micron Technology Inc.
MT29F2G08ABAGAWP-ITE:G
Micron Technology Inc.
MT29F128G08CFABBWP-12IT:B
Micron Technology Inc.
MT29F128G08CFABBWP-12IT:B TR
Micron Technology Inc.
MT29F16G08ABABAWP-AIT:B
Micron Technology Inc.
MT29F16G08ABABAWP-AIT:B TR
Micron Technology Inc.
EPF8820ATC144-3
Intel
M2GL025T-1FG484
Microsemi Corporation
5SGXEB6R2F43C2L
Intel
EP4SE360F35C4
Intel
XC5VLX50T-3FF1136C
Xilinx Inc.
XC7K355T-1FFG901C
Xilinx Inc.
A54SX16A-1TQ100I
Microsemi Corporation
A40MX04-PQ100M
Microsemi Corporation
EP3CLS100F780I7
Intel
EP1S25F1020I6N
Intel