casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / MT46V32M8P-5B:M
codice articolo del costruttore | MT46V32M8P-5B:M |
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Numero di parte futuro | FT-MT46V32M8P-5B:M |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT46V32M8P-5B:M Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Volatile |
Formato di memoria | DRAM |
Tecnologia | SDRAM - DDR |
Dimensione della memoria | 256Mb (32M x 8) |
Frequenza di clock | 200MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 15ns |
Tempo di accesso | 700ps |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 2.5V ~ 2.7V |
temperatura di esercizio | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 66-TSOP |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT46V32M8P-5B:M Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MT46V32M8P-5B:M-FT |
MT29PZZZ4D4BKEPK-18 W.94H TR
Micron Technology Inc.
MT29RZ4C4DZZMGGM-18W.80C
Micron Technology Inc.
MT29RZ4C4DZZMGGM-18W.80C TR
Micron Technology Inc.
MT29RZ4C4DZZMGMF-18W.80C
Micron Technology Inc.
MT29RZ4C4DZZMGMF-18W.80C TR
Micron Technology Inc.
MT29RZ4C8DZZMHAN-18W.80D
Micron Technology Inc.
MT29RZ4C8DZZMHAN-18W.80D TR
Micron Technology Inc.
MT29TZZZ7D7EKKBT-107 W.97V
Micron Technology Inc.
MT29TZZZ7D7EKKBT-107 W.97V TR
Micron Technology Inc.
MT29TZZZ8D5JKEPD-125 W.95T TR
Micron Technology Inc.
XC4006E-3TQ144C
Xilinx Inc.
XC6SLX150T-N3FGG900C
Xilinx Inc.
LFE3-17EA-6FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
10M08DCF484I7G
Intel
EP3CLS150F484C8
Intel
EP4CE115F23C7
Intel
XC2VP20-6FFG1152I
Xilinx Inc.
LCMXO2-4000HE-6BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX027E2F27E1HG
Intel
EP4SGX360HF35I3N
Intel