casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / MT29RZ4C4DZZMGMF-18W.80C TR
codice articolo del costruttore | MT29RZ4C4DZZMGMF-18W.80C TR |
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Numero di parte futuro | FT-MT29RZ4C4DZZMGMF-18W.80C TR |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT29RZ4C4DZZMGMF-18W.80C TR Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Non-Volatile |
Formato di memoria | FLASH, RAM |
Tecnologia | FLASH - NAND, DRAM - LPDDR2 |
Dimensione della memoria | 4Gb (256M x 16)(NAND), 4G (128M x 32)(LPDDR2) |
Frequenza di clock | 533MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | - |
Tempo di accesso | - |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 1.8V |
temperatura di esercizio | -25°C ~ 85°C (TA) |
Tipo di montaggio | - |
Pacchetto / caso | - |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT29RZ4C4DZZMGMF-18W.80C TR Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MT29RZ4C4DZZMGMF-18W.80C TR-FT |
MT29F2G16ABAEAWP-AAT:E
Micron Technology Inc.
MT29F2G16ABAEAWP-AAT:E TR
Micron Technology Inc.
MT29F2G16ABBEAH4-AAT:E
Micron Technology Inc.
MT29F2G16ABBEAH4-AAT:E TR
Micron Technology Inc.
MT29F2T08CUHBBM4-3R:B
Micron Technology Inc.
MT29F2T08CUHBBM4-3R:B TR
Micron Technology Inc.
MT29F2T08EMHAFJ4-3T:A
Micron Technology Inc.
MT29F2T08EMHAFJ4-3T:A TR
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MT29F32G08ABAAAWP-ITZ:A TR
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MT29F32G08ABCABH1-10Z:A
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