casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / MT46V256M4TG-6T:A TR
codice articolo del costruttore | MT46V256M4TG-6T:A TR |
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Numero di parte futuro | FT-MT46V256M4TG-6T:A TR |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT46V256M4TG-6T:A TR Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Discontinued at Future Semiconductor |
Tipo di memoria | Volatile |
Formato di memoria | DRAM |
Tecnologia | SDRAM - DDR |
Dimensione della memoria | 1Gb (256M x 4) |
Frequenza di clock | 167MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 15ns |
Tempo di accesso | 700ps |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 2.3V ~ 2.7V |
temperatura di esercizio | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 66-TSOP |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT46V256M4TG-6T:A TR Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MT46V256M4TG-6T:A TR-FT |
MT47H32M16BN-25E IT:D TR
Micron Technology Inc.
MT47H32M16BN-25E:D TR
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MT47H32M16BN-3 IT:D TR
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MT47H32M16BN-37E IT:D TR
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MT47H32M16BN-37E:D TR
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MT47H32M16BN-3:D TR
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MT47H32M16BN-5E IT:D TR
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MT47H32M16BN-5E:D TR
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MT47H32M16CC-37E IT:B
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MT47H32M16CC-37E IT:B TR
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