casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / MT47H32M16BN-5E:D TR
codice articolo del costruttore | MT47H32M16BN-5E:D TR |
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Numero di parte futuro | FT-MT47H32M16BN-5E:D TR |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT47H32M16BN-5E:D TR Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo di memoria | Volatile |
Formato di memoria | DRAM |
Tecnologia | SDRAM - DDR2 |
Dimensione della memoria | 512Mb (32M x 16) |
Frequenza di clock | 200MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 15ns |
Tempo di accesso | 600ps |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 1.7V ~ 1.9V |
temperatura di esercizio | 0°C ~ 85°C (TC) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 84-TFBGA |
Pacchetto dispositivo fornitore | 84-FBGA (10x12.5) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT47H32M16BN-5E:D TR Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MT47H32M16BN-5E:D TR-FT |
MT29F64G08CBAABWP-12Z:A TR
Micron Technology Inc.
MT29F64G08CBABAWP:B
Micron Technology Inc.
MT29F64G08CBABAWP:B TR
Micron Technology Inc.
MT29F64G08CBABBWP-12:B
Micron Technology Inc.
MT29F64G08CFACAWP-Z:C
Micron Technology Inc.
MT29F64G08CFACAWP-Z:C TR
Micron Technology Inc.
MT29F64G08CFACAWP:C
Micron Technology Inc.
MT29F64G08CFACAWP:C TR
Micron Technology Inc.
MT29F64G08CFACBWP-12:C
Micron Technology Inc.
MT29F64G08CFACBWP-12Z:C
Micron Technology Inc.
XC3S1000-4FGG320I
Xilinx Inc.
M1A3P600L-FG484I
Microsemi Corporation
M2GL050TS-1FG484I
Microsemi Corporation
5SGXMA5N3F40C4N
Intel
EP2AGZ350FH29I4N
Intel
5SGSED6N1F45I2N
Intel
XC5VFX130T-1FFG1738I
Xilinx Inc.
XC7VX485T-1FFG1157I
Xilinx Inc.
EPF10K70RC240-3N
Intel
5AGZME1H3F35C4N
Intel