casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / AS1C1M16P-70BIN
codice articolo del costruttore | AS1C1M16P-70BIN |
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Numero di parte futuro | FT-AS1C1M16P-70BIN |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | * |
AS1C1M16P-70BIN Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Volatile |
Formato di memoria | PSRAM |
Tecnologia | PSRAM (Pseudo SRAM) |
Dimensione della memoria | 16Mb (1M x 16) |
Frequenza di clock | - |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 70ns |
Tempo di accesso | 70ns |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 2.6V ~ 3.3V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 48-VFBGA |
Pacchetto dispositivo fornitore | 48-FBGA (6x7) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AS1C1M16P-70BIN Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | AS1C1M16P-70BIN-FT |
AT25256AW-10SU-1.8
Microchip Technology
AT25256AW-10SU-2.7
Microchip Technology
AT25256W-10SC
Microchip Technology
AT25256W-10SC-1.8
Microchip Technology
AT25256W-10SC-2.7
Microchip Technology
AT25256W-10SI
Microchip Technology
AT25256W-10SI-1.8
Microchip Technology
AT25256W-10SI-2.7
Microchip Technology
AT25DF161-SH-B
Microchip Technology
AT25DQ161-SH-T
Microchip Technology
XC2V250-6FG256C
Xilinx Inc.
XC6SLX150T-2FGG676I
Xilinx Inc.
A42MX16-2PQ208
Microsemi Corporation
A42MX24-FPQG208
Microsemi Corporation
EP1K10TI100-2
Intel
XC7K355T-1FFG901I
Xilinx Inc.
XC7K325T-3FFG900E
Xilinx Inc.
LCMXO640E-4MN100C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-2000UHE-6FG484I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115N3F40I2SGE2
Intel