casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / MT40A512M8RH-083E AIT:B
codice articolo del costruttore | MT40A512M8RH-083E AIT:B |
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Numero di parte futuro | FT-MT40A512M8RH-083E AIT:B |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT40A512M8RH-083E AIT:B Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Volatile |
Formato di memoria | DRAM |
Tecnologia | SDRAM - DDR4 |
Dimensione della memoria | 4Gb (512M x 8) |
Frequenza di clock | 1.2GHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | - |
Tempo di accesso | - |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 1.14V ~ 1.26V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 95°C (TC) |
Tipo di montaggio | - |
Pacchetto / caso | - |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT40A512M8RH-083E AIT:B Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MT40A512M8RH-083E AIT:B-FT |
MT29F4T08CTHBBM5-3R:B TR
Micron Technology Inc.
MT29F4T08EUHAFM4-3T:A
Micron Technology Inc.
MT29F4T08EUHAFM4-3T:A TR
Micron Technology Inc.
MT29F512G08AUCBBH8-6IT:B
Micron Technology Inc.
MT29F512G08AUCBBH8-6IT:B TR
Micron Technology Inc.
MT29F512G08CECBBJ4-5M:B TR
Micron Technology Inc.
MT29F512G08CEHBBJ4-3R:B
Micron Technology Inc.
MT29F512G08CEHBBJ4-3R:B TR
Micron Technology Inc.
MT29F512G08EECAGJ4-5M:A
Micron Technology Inc.
MT29F512G08EECAGJ4-5M:A TR
Micron Technology Inc.
XA2S200E-6FT256Q
Xilinx Inc.
APA450-FG484
Microsemi Corporation
APA1000-PQG208M
Microsemi Corporation
LCMXO3L-6900C-5BG400C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGSED8K3F40C2L
Intel
10CL025YE144I7G
Intel
XC7VX690T-2FFG1927I
Xilinx Inc.
5AGXBB5D4F35C5N
Intel
EP3SL150F780C2N
Intel
EPF10K200SBC356-3
Intel