casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / MT29F512G08CEHBBJ4-3R:B
codice articolo del costruttore | MT29F512G08CEHBBJ4-3R:B |
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Numero di parte futuro | FT-MT29F512G08CEHBBJ4-3R:B |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT29F512G08CEHBBJ4-3R:B Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Non-Volatile |
Formato di memoria | FLASH |
Tecnologia | FLASH - NAND |
Dimensione della memoria | 512Gb (64G x 8) |
Frequenza di clock | 333MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | - |
Tempo di accesso | - |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 2.5V ~ 3.6V |
temperatura di esercizio | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo di montaggio | - |
Pacchetto / caso | - |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT29F512G08CEHBBJ4-3R:B Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MT29F512G08CEHBBJ4-3R:B-FT |
MT29F1HT08EMHBBJ4-3R:B TR
Micron Technology Inc.
MT29F1T08CMHBBJ4-3R:B
Micron Technology Inc.
MT29F1T08CMHBBJ4-3R:B TR
Micron Technology Inc.
MT29F1T08EEHAFJ4-3T:A
Micron Technology Inc.
MT29F1T08EEHAFJ4-3T:A TR
Micron Technology Inc.
MT29F1T08EMCAGJ4-5M:A
Micron Technology Inc.
MT29F1T08EMCAGJ4-5M:A TR
Micron Technology Inc.
MT29F1T08EMHAFJ4-3R:A
Micron Technology Inc.
MT29F1T08EMHAFJ4-3R:A TR
Micron Technology Inc.
MT29F1T208ECHBBJ4-3R:B TR
Micron Technology Inc.
XC6SLX100-2FG484I
Xilinx Inc.
EP4S100G2F40I1N
Intel
5SGXMA5H2F35I3LN
Intel
A1020B-PL44C
Microsemi Corporation
XC5VLX330T-1FFG1738I
Xilinx Inc.
XC6SLX4-2CPG196I
Xilinx Inc.
A54SX32A-FBG329
Microsemi Corporation
LCMXO2-256ZE-2UMG64I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HC-5FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE110F780C4LN
Intel