casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / MT40A512M8RH-083E AAT:B TR

| codice articolo del costruttore | MT40A512M8RH-083E AAT:B TR |
|---|---|
| Numero di parte futuro | FT-MT40A512M8RH-083E AAT:B TR |
| SPQ / MOQ | Contattaci |
| Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
| serie | - |
| MT40A512M8RH-083E AAT:B TR Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
| Stato parte | Active |
| Tipo di memoria | Volatile |
| Formato di memoria | DRAM |
| Tecnologia | SDRAM - DDR4 |
| Dimensione della memoria | 4Gb (512M x 8) |
| Frequenza di clock | 1.2GHz |
| Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | - |
| Tempo di accesso | - |
| Interfaccia di memoria | Parallel |
| Tensione - Fornitura | 1.14V ~ 1.26V |
| temperatura di esercizio | -40°C ~ 105°C (TC) |
| Tipo di montaggio | - |
| Pacchetto / caso | - |
| Pacchetto dispositivo fornitore | - |
| Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| MT40A512M8RH-083E AAT:B TR Peso | Contattaci |
| Numero parte di ricambio | MT40A512M8RH-083E AAT:B TR-FT |

MT29F4T08CTHBBM5-3R:B
Micron Technology Inc.

MT29F4T08CTHBBM5-3R:B TR
Micron Technology Inc.

MT29F4T08EUHAFM4-3T:A
Micron Technology Inc.

MT29F4T08EUHAFM4-3T:A TR
Micron Technology Inc.

MT29F512G08AUCBBH8-6IT:B
Micron Technology Inc.

MT29F512G08AUCBBH8-6IT:B TR
Micron Technology Inc.

MT29F512G08CECBBJ4-5M:B TR
Micron Technology Inc.

MT29F512G08CEHBBJ4-3R:B
Micron Technology Inc.

MT29F512G08CEHBBJ4-3R:B TR
Micron Technology Inc.

MT29F512G08EECAGJ4-5M:A
Micron Technology Inc.

EPF10K30ATI144-3N
Intel

A54SX32A-2FGG484I
Microsemi Corporation

LFE2-70E-6FN900I
Lattice Semiconductor Corporation

A54SX16-1VQ100I
Microsemi Corporation

5SGSED6N3F45I4N
Intel

5SGSMD5H2F35I3L
Intel

A40MX04-FPL84
Microsemi Corporation

LFXP6C-4F256I
Lattice Semiconductor Corporation

LFE2-35E-7FN672C
Lattice Semiconductor Corporation

EP3SL150F780I3N
Intel