casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / MT40A512M8RH-083E AAT:B TR
codice articolo del costruttore | MT40A512M8RH-083E AAT:B TR |
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Numero di parte futuro | FT-MT40A512M8RH-083E AAT:B TR |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT40A512M8RH-083E AAT:B TR Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Volatile |
Formato di memoria | DRAM |
Tecnologia | SDRAM - DDR4 |
Dimensione della memoria | 4Gb (512M x 8) |
Frequenza di clock | 1.2GHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | - |
Tempo di accesso | - |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 1.14V ~ 1.26V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 105°C (TC) |
Tipo di montaggio | - |
Pacchetto / caso | - |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT40A512M8RH-083E AAT:B TR Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MT40A512M8RH-083E AAT:B TR-FT |
MT29F4T08CTHBBM5-3R:B
Micron Technology Inc.
MT29F4T08CTHBBM5-3R:B TR
Micron Technology Inc.
MT29F4T08EUHAFM4-3T:A
Micron Technology Inc.
MT29F4T08EUHAFM4-3T:A TR
Micron Technology Inc.
MT29F512G08AUCBBH8-6IT:B
Micron Technology Inc.
MT29F512G08AUCBBH8-6IT:B TR
Micron Technology Inc.
MT29F512G08CECBBJ4-5M:B TR
Micron Technology Inc.
MT29F512G08CEHBBJ4-3R:B
Micron Technology Inc.
MT29F512G08CEHBBJ4-3R:B TR
Micron Technology Inc.
MT29F512G08EECAGJ4-5M:A
Micron Technology Inc.
LCMXO2280C-3FT256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP1SGX25DF672I6
Intel
10M25DAF484C8G
Intel
XC7VX690T-1FFG1158C
Xilinx Inc.
A42MX16-FPLG84
Microsemi Corporation
LFE2-20E-6FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M35SE-7F256C
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC7D6F31I7N
Intel
EP3SL110F780I4
Intel
10AX027E1F29I1HG
Intel